屏蔽室的有效性是用屏蔽效能來度量的，屏蔽效能定義為：電磁場中同一地點沒有屏蔽存在時電磁場強(qiáng)度E1與有效屏蔽時的電磁場強(qiáng)度E2的比值，它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度。用于電磁兼容目的的屏蔽室通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來的百分之一甚至百萬分之一，因此通常用分貝來表述屏蔽效能。

屏蔽效能定義為：沒有屏蔽體時空間某點的電場強(qiáng)度E₀ (或磁場強(qiáng)度H₀)與有屏蔽體時被屏蔽空間在該點的電場強(qiáng)度E₁(或磁場強(qiáng)度H₁)之比。由下式表示

在屏蔽效能的計算與測試中，往往會遇到場強(qiáng)值相差非常懸殊(甚至達(dá)千百萬倍的信號)。為了便于表達(dá)、敘述和運算(變乘除為加減)，常采用對數(shù)單位——分貝(dB)進(jìn)行度量。定義為

在1GHz以上微波頻段，由于功率測量比E和H測量方便，下式也被接受為S的定義。

式中，P₀－無屏蔽體時之功率；P₁－有屏蔽時被屏蔽空間內(nèi)該點的功率。

特別提示：屏蔽材料的選擇與所需達(dá)到的屏蔽效指標(biāo)能有著密切關(guān)系，屏蔽材料選擇應(yīng)注意以下方面：

（1）金屬鐵磁材料適用于低頻(f<300Hz)磁場的磁屏蔽。較常用的有純鐵、鐵硅合金（即硅鋼等）、鐵鎳軟磁合金（即坡莫合金）等。相對磁導(dǎo)率μr越高，屏蔽效果越好；層數(shù)越多，屏蔽也越好。

（2）非金屬磁性材料——鐵氧體磁性材料該材料在高頻時具有較高的磁導(dǎo)率，電導(dǎo)率較大，且具有較高的介電性能，已廣泛應(yīng)用于高頻弱電領(lǐng)域。

（3）良導(dǎo)體材料適用于高頻電磁場、低頻電場以及靜電場的屏蔽。高頻電磁場及低頻電場的屏蔽應(yīng)選用高電導(dǎo)率良導(dǎo)體（如銅、鋁等）。常用的屏蔽薄板材除了銅板、鋁板等外，還常用鈹青銅、錫磷青銅等（具有彈性）作開啟的門蓋。

作為通風(fēng)用屏蔽網(wǎng)，通常采用紫銅絲制作。用于頻率不大于100MHz的大面積通風(fēng)窗孔。網(wǎng)孔越小、線徑越粗，屏蔽越好。f>lOOMHz時，金屬絲網(wǎng)屏蔽效能明顯下降。

電磁屏蔽材料的選用原則：

（1）應(yīng)根據(jù)使用環(huán)境（即干擾揚的性質(zhì)、使用頻率）選用屏蔽材料。

（2）必須考慮合適的性（能）價（格）比。不可片面追求屏蔽效能。

（3）冷軋取向硅鋼片（DQ型）在軋制方向使用時，能充分利用其磁性能，降低損耗；而當(dāng)需要無取向屏蔽時，應(yīng)選擇DW型冷軋無取向硅鋼片。④對于強(qiáng)磁場的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)。支撐件接地一般選用良導(dǎo)體，以防電場感應(yīng)。

（4）應(yīng)注意綜合使用接地、屏蔽、濾波等措施。屏蔽的效能與接地密切相關(guān)。屏蔽體應(yīng)接地，而且應(yīng)單點接地，以避免在屏蔽體內(nèi)形成回路，造成干擾而引起屏蔽效能下降。電纜的屏蔽頗有講究：低頻電路可單端接地；磁場屏蔽應(yīng)兩端接地；高頻電路除雙端接地外，應(yīng)每隔0.1λ（波長）距離接一次地。且與屏蔽外殼良好焊接。

屏蔽與濾波相結(jié)合，容易引入電磁干擾的I/O接口和電源線輸人口應(yīng)分別采用信號濾波器和電源濾波器，方能保證屏蔽效能。

應(yīng)用屏蔽措施時應(yīng)注意：

（1）鐵磁屏蔽會使元件電感增加，電磁屏蔽使元件電感減小；

（2）電磁屏蔽使電感元件有功損耗上升。品質(zhì)因數(shù)Q下降；

（3）無論電磁或鐵磁屏蔽，接地后都兼有靜電屏蔽作用。

特別提示：不可忽略的屏蔽室接地問題

作為專業(yè)用途的電磁屏蔽室，接地方式與工藝的有效性與合理性顯得非常關(guān)鍵。

一般而言，接地的首要作用是電氣的“**接地”，也就是將屏蔽室的地與大地電位相連。其次，受各種通信方式的限制，采用一個公共的基準(zhǔn)電位也為通信的可靠進(jìn)行提供了優(yōu)先條件。

此外，經(jīng)過實驗室測試數(shù)據(jù)證明，單點接地的屏蔽效能明顯優(yōu)于多點接地。接地線的長短對屏蔽效能影響不明顯，而對信號泄漏有影響。屏蔽接地線比裸露接地線信號泄漏小。

接地電阻應(yīng)盡可能地小，一般可以分為小于4Ω、小于2Ω和小于1Ω。且建議采用高導(dǎo)電率的扁平狀導(dǎo)體，如雙層銅編織帶。